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等离子刻蚀高精度12 英寸硅上电极
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应用领域：主要用于半导体制造过程中的等离子刻蚀（Plasma Etching）。 应用场景： ●适用于 介质刻蚀（Dielectric Etching）和硅刻蚀（Silicon Etching）工艺，如低介电常数（Low-k）材料刻蚀、高深宽比刻蚀等。 ●适用于高真空环境，满足先进逻辑芯片、存储芯片（DRAM、3D NAND）等制造需求。 |
产品特性： ●适用于 300mm 晶圆，先进半导体制造（如 3D NAND、逻辑芯片）。 ●高纯度硅材质，适用于高精度刻蚀工艺**，降低污染，提高良率。 ●Elastomer Bonded 版本提升耐久性，适应高温高负载工艺。 ●优化热传导设计，减少刻蚀不均，提高工艺一致性。 |
产品规格： ●尺寸：12 英寸（适用于 300mm 晶圆工艺） ●部件号（P/N）：839-021113-002、839-020965-005。 ●材质：Elastomer Bonded（硅 + 石墨）：采用硅与石墨粘结结构，提高耐热性和刻蚀稳定性。 ●Silicon Only（Unified）：纯硅材质，适用于高纯度制程。 |
产品应用图：
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